与 BaTiO₃基陶瓷复合时,MnO 可与 Ba²⁺、Ti⁴⁺形成固溶体,抑制晶粒异常长大,细化晶粒尺寸至 1~5 μm,提升陶瓷致密度至 95% 以上;
降低烧结温度约 100~200℃,减少高温烧结导致的晶格缺陷与组分挥发,保障陶瓷性能稳定性。
电价补偿:MnO 中的 Mn²⁺可取代 BaTiO₃晶格中的 Ti⁴⁺,形成氧空位(V_O)补偿电荷失衡,抑制陶瓷的介电损耗,提升介电常数稳定性;
抑制电畴老化:在压电陶瓷中,Mn²⁺可钉扎电畴壁运动,降低压电性能的时间衰减率,提升器件长期服役可靠性;
调控半导体特性:在热敏陶瓷中,Mn²⁺与其他过渡金属离子(如 Co²⁺、Ni²⁺)协同,调控陶瓷的禁带宽度与载流子浓度,精准设计热敏电阻的居里温度与电阻温度系数。
抑制 BaTiO₃在低温下的三方 - 四方相变,消除相变导致的介电常数突变,使陶瓷在 - 55~125℃宽温域内介电常数变化率低于 ±15%,满足 MLCC(多层陶瓷电容器)的工业标准;
与稀土元素(如 La³⁺、Nd³⁺)联用,进一步优化陶瓷的温度稳定性与耐压性能。

介电性能优化:Mn²⁺掺杂可提升 BaTiO₃陶瓷的介电常数(εr>3000),降低介电损耗(tanδ<0.002),同时抑制直流偏压下介电常数的衰减;
抗还原性能提升:在还原气氛烧结的 Ni 电极 MLCC 中,MnO 可作为 “抗还原剂”,抑制 Ti⁴⁺被还原为 Ti³⁺,避免陶瓷半导体化,保障绝缘电阻(IR>10¹² Ω・cm);
可靠性增强:细化晶粒并减少晶界缺陷,提升 MLCC 的耐压强度与抗电老化能力,满足汽车电子、5G 通信等高可靠性场景需求。
正温度系数热敏电阻(PTC):在 BaTiO₃基 PTC 陶瓷中,MnO 作为掺杂剂,调控晶界势垒高度,优化 PTC 效应的强度(电阻突变率>10⁴)与居里温度(可在 60~150℃范围内调节),适用于过流保护、温度传感器等器件;
负温度系数热敏电阻(NTC):以 MnO 为主要原料,与 Co₃O₄、NiO、CuO 等复合烧结,形成尖晶石型(Mn,Co,Ni)₃O₄陶瓷,通过调整 MnO 比例,精准设计电阻温度系数(-2%~-6%/℃),广泛应用于温度测量、电路温度补偿等领域。
提升机电耦合系数(kp>0.6)与机械品质因数(Qm>1000),适用于超声传感器、压电变压器等高频器件;
抑制压电陶瓷的 “老化效应”,使压电常数(d33)的年衰减率低于 1%,保障器件长期使用性能稳定;
降低陶瓷的矫顽场强,改善极化工艺的效率,降低生产成本。
调控铁氧体的晶格常数与晶粒尺寸,提升磁导率(μi>1000)与截止频率(fc>1 MHz);
降低磁芯损耗(Pc<500 kW/m³),适用于开关电源、射频通信等高频低损耗场景;
与 ZnO、Fe₂O₃协同烧结,形成单相尖晶石结构,避免杂相生成对磁性能的不利影响。
多功能协同:兼具烧结促进、缺陷调控、相稳定等多重作用,简化陶瓷制备工艺,降低生产成本;
适配性强:可与 BaTiO₃、PZT、铁氧体等多种电子陶瓷体系兼容,应用范围广;
性能提升显著:大幅优化陶瓷的介电、压电、热敏、磁性能,满足高端电子器件的性能需求;
环境友好:MnO 无毒且原料储量丰富,相较于铅系助剂更符合绿色电子材料的发展趋势。
掺杂量精准控制:过量 MnO 会导致陶瓷介电损耗升高、压电性能下降,需通过精准调控掺杂比例(通常为 0.1%~1.0%)保障性能;
烧结气氛敏感性:MnO 在氧化气氛下易被氧化为 Mn₃O₄、MnO₂,影响掺杂效果,需严格控制烧结气氛(如弱还原气氛);
高纯度需求:电子陶瓷对 MnO 的纯度要求高(≥99.9%),杂质离子(如 Na⁺、K⁺)会导致陶瓷绝缘性能下降,需优化提纯工艺。
高纯度超细 MnO 粉体制备:开发气相沉积、溶胶 - 凝胶等工艺,制备纳米级(粒径<100 nm)高纯度 MnO 粉体,提升陶瓷的烧结活性与性能均匀性;
复合助剂协同改性:将 MnO 与稀土元素、碱土金属盐复合,构建多元助剂体系,实现陶瓷性能的协同优化,满足 5G、新能源汽车等新兴领域的需求;
无铅化陶瓷体系开发:基于 MnO 开发无铅压电 / 介电陶瓷,替代传统铅系陶瓷,顺应电子材料绿色化发展趋势;
智能化制备工艺:结合计算机模拟与原位表征技术,精准预测 MnO 掺杂对陶瓷性能的影响,实现电子陶瓷的定制化设计与制备。